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上海芯火元科技有限公司
 SiC模块,SiC-MOSFET,碳化硅功率模块
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    IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性,由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块,开关频率增加,从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行,开关损耗相对较低,从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少,效率提高,从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。
    为了满足PCS储能变流器更#的需求,使用基本公司碳化硅SiC模块全面取代IGBT模块,可以提升系统效率1%,有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC模块全面取代IGBT模块,从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%,在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命!
   
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    BASiC™基半股份一级代理商致力于推动碳化硅SiC-PIM模块在中央空调,商用空套,热泵应用中全面取代IGBT-PIM模块!
    BASiC™基半股份一级代理商致力于推动碳化硅SiC-IPM模块在家用空调压缩机,汽车空调热泵热管理,伺服驱动应用中全面取代IGBT-IPM模块!
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