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二者关系应满足： I2tF≤0.9I2tD 。④分断过电压：熔断器在减弧过程中，在线路中产生的过电压，过高的过电压会使半导体器件产生反向击穿，因此分断过电压必须小于或者等于半导体器件允许反向峰值电压。快速熔断器熔断时产生的过电压（峰值）一般为故障电压（方均根值）的2~2.5倍左右。 ⑤额定分断能力：快速熔断器的额定分断能力应大于半导体设备中快速熔断器分断时流过的故障电流峰值，一般应包括半导体设备中的变压器阀侧内部短路电流值及直流侧短路电流值，不然将会引起快速熔断器炸裂、串弧等事故。
因而快速熔断器分断能力强，可高达50kA。负载设备承受的冲击能量小电路出现短路故障时，负载设备承受的冲击能量为W=I2Rt式中，I—短路电流； R—电路的电阻； t—从短路故障发生到电路被切断的时间。快速熔断器分断的时间短，且有很好的限流作用，故负载设备承受的冲击能量小。