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可以看出,制备单晶硅的工艺要求非常苛刻,包括设备、温度控制、转速等各种影响因素。因此在前期必须做好设备设计如单晶炉和温控包括炉内的热场、流场,以及预测。一般来说,前期的设计、优化和预测并不能完全依靠高成本的实验来实现。可以通过#的计算机数值仿真工具来实现晶体生长数值
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