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国产车规级基半B2M第二代SiC碳化硅MOSFET在OBC中的应用
基半B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
•比导通电阻降低40%左右
•Qg降低了60%左右
•开关损耗降低了约30%
•降低Coss参数，更适合软开关
•降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
•大工作结温175℃•HTRB、HTGB+、HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
•优化栅氧工艺，提高可靠性
•高可靠性钝化工艺
•优化终端环设计，降低高温漏电流
•AEC-Q101
车载充电机（On-BoardCharger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢速充电。
基半第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件具有高频的特点，在OBC上使用碳化硅功率器件对于提升OBC的效率和功率密度有较大帮助。
OBC车载充电机一般为两级电路，前级为PFC（PowerFactorCorrection）级，即功率因数校正环节，实现电网交流电压变为直流电压，且保证输入交流电流与输入交流电压同相位，根据实际设计功率需求的不同，可采用多级Boost电路并联进行扩容；后级为DC/DC级，实现PFC级输出直流电压变为所需充电电压，实现恒流/恒压充电功能，并保证交流高压侧与直流高压侧的电气绝缘，同样地，根据实际设计功率需求的不同，可采用多级DC/DC电路并联进行扩容。另外，比较常见的DC/DC级电路拓扑有移相全桥和LLC两种。双向OBC在先天上就可以实现比单向设计更高的效率。单向DC/DC模块采用PFC二极管，而单向LLC谐振转换器可通过二极管桥完成输出整流。单相双向OBC的典型框架—全桥整流器被低损耗基半第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120R所取代，从而消除整流二极管正向压降造成的损耗。这反过来可以降低功耗，从而简化热管理要求。基半第二代SiC碳化硅MOSFETB2M040120R器件的综合性能可减少所需元件的数量，从而降低电路元件成本以满足支持各种功率器件功能的要求。